[e경제뉴스 임명재 기자] 삼성전자는 내년 하반기부터 5나노 이하 EUV와 함께 최첨단 V낸드 제품 양산을 시작한다. 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품 양산에 성공한 데 이어서다.
1일 추가 투자를 발표한 평택캠퍼스는 2015년 단지 조성을 위한 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 망라하는 최첨단 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다.
삼성전자는"이번 낸드 추가 투자의 의미를 AI, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하는 것"이라고 설명했다.
삼성전자는 이번 평택캠퍼스 2라인의 한 개 층을 EUV 파운드리 라인과 낸드 라인으로 활용하고, 다른 한 개 층에는 메모리 반도체 D램 생산 라인을 추가 구축한다.
투자금액을 공개하진 않았으나 지난달 발표한 파운드리 라인은 9∼10조원, 이번 낸드플래시 라인은 7∼8조원 규모에 달할 것으로 보고 있다. 조만간 추가 투자계획을 발표할 것으로 보이는 평택 2라인 D램 생산라인은 15조원 이상에 달할 전망이다.
삼성전자가 최근 코로나19로 대내외 불확실성이 여전한 상황에서 잇달아 투자계획을 발표한 것은 중국의 낸드 기술이 기술격차 1년 이내로 바짝왔다는 우려 때문이다.
삼성전자는 세계 낸드 시장 점유율에서 지난해 36%를 기록하며 압도적인 기술력을 유지하고 있지만, 전년(2018년) 대비 2%포인트 낮아졌다.
올 들어서는 중국 메모리 반도체 추격이 만만치 않다. 중국 양쯔메모리(YMTC)는 4월 삼성의 6세대 낸드 수준인 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다.
이르면 올 연말 양산에 돌입한다는 계획이어서 삼성과의 격차를 1년 수준으로 좁히게 될 거란 전망도 나온다.
삼성전자도 올 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 중국의 이러한 추격을 `새로운 모멘텀`으로 평가하기도 했다.
삼성전자는 이번 투자를 포함해 고품질, 고성능 제품 기반 기술 우위를 확대하는 것을 최우선순위로 두고 초격차에 속도를 내겠다는 계획이다.